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PD - 9.1692A
PRELIMINARY
IRL3302S
HEXFET ? Power MOSFET
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Advanced Process Technology
Surface Mount
Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Fast Switching
G
D
S
V DSS = 20V
R DS(on) = 0.020 W
I D = 39A
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters. Advanced processing techniques
combined with an optimized gate oxide design results
in a die sized specifically to offer maximum efficiency
at minimum cost.
The D 2 Pak is a surface mount power package capable
of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D P ak
D 2 Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount
application.
Absolute Maximum Ratings
2
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
39
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V ?
Pulsed Drain Current ??
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ??
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ??
25
160
57
0.45
± 10
130
23
5.7
5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R q JC
Junction-to-Case
–––
2.2
R q JA
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
–––
40
°C/W
9/17/97
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